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　　他一生指导过不少弟子，江静虽然是个女孩子，但依然是他教导过的年轻人里最杰出的那几个之一，也因为这个，他对她寄于更多的厚望，希望她眼光能看得长远的，大局观能再强一点。

　　“李教授，你这么做，对江静是不公平的。”

　　仇复听说李教授因为江静的“家庭条件”比袁函好就把名誉和奖励给了袁函，而且还一副“为了大局着想”的领导做派，面色不由得一冷。

　　“而且江静都已经退让并且理解了，您于情于理，都不该还责怪她。”仇复替自己女友抱不平着，“现在她因为工作太过劳累躺在医院里，您难道不该关心的是她的身体吗？她努力工作又没有做错什么！”

　　“我这是爱之深，责之切！”

　　李教授叹息道，“我也不想我最器重的女弟子，就这么因为太过急切毁了自己的身体和前途……”

　　也许是两人说话的声音稍微有点大，一直沉睡着的江静睫毛动了几下，眼珠子也在眼皮底下转来转去，努力想要睁开。

　　站在她身边的仇复第一个发现了女友的变化，连忙按下了召唤护士的呼叫铃，握着江静的手将嘴巴凑近了她的耳边：

　　“静静，是不是我和李教授说话吵到你了？静静，你听得到我的声音吗？医生说你要好好休息，你要还是累，就多睡一会儿，我和李教授出去说话，你再睡会儿啊？”

　　昏睡欲醒的江静用尽力气虚弱地摇了摇头，拼命想要睁开眼睛，嘴里在小声地喊着：“教授，教授……”

　　“李教授，静静好像在找你！”

　　仇复连忙对着李教授喊。

　　李教授连忙凑过去，低下头，就听得半昏半醒间的江静一直在喊着自己，一边努力醒来，嘴里一边含糊不清地说着：

　　“李教授，小尺寸的标准CMOS制备工艺中，MOSFET的体内区域的掺杂浓度较高，表面区域低掺杂，其掺杂浓度对于TFET器件来说均过高，若完全基于标准CMOS工艺来集成，TFET器件会增大器件的泄漏电流，且对TFET导通特性会有影响……”

　　李教授先开始还没听清，等听到“表面区域低掺杂”时忍不住怔住了，听出这是她上次提交的项目书里的内容，不由自主地又靠近了点。

　　“另外，TFET器件由于存在明显的双极导通效应，极大限制了 TFET器件在集成电路上的应用。降低漏端掺杂浓度的办法可以抑制TFET的双极效应，实现互补TFET器件，但需在标准CMOS I工艺的基础上增加光刻掩膜版，增加了工艺复杂度和制作成本。”

　　她要做的项目，目的是为了降低成本和复杂性，自然不能出现与之相悖的结果。

　　“所以，这个项目不适合适用在小尺寸CMO